学堂在线空军工程大学航空电力电子技术(2021秋)作业题答案
- 晶闸管对门极驱动电路的基本要求有（）。 A驱动信号可以是交流、直流或脉冲 B驱 2021-10-07
- 对于电流型器件来说，增加（）可以减小开关的开通时间，增大电流上升率，降低开关管饱 2021-10-07
- 电力MOS管是电子、空穴两种载流子都参与导电的双极型电流控制型开关器件，由 2021-10-07
- IGBT是一种复合器件，其输入控制部分为MOSFET，输出级为双极型晶体管，可以认为是 2021-10-07
- 在IGBT使用过程中，应（），避免擎住效应，以确保器件的安全。 A保证集电极电流不超过 2021-10-07
- IGBT的导通与关断由（）控制。 A栅极电压 B门极电压 C集电极电压 D触发信号 2021-10-07
- IGBT相当于在电力MOSFET结构基础上增加了一个（）。 AN-漂移区 BP+注入区 C高掺 2021-10-07
- 绝缘栅双极型晶体管简称为（）。 AGTR BGTO CMOSFET DIGBT 2021-10-07
- MOSFET的漏极伏安特性也称为输出特性，可以分为四个区：可调电阻区Ⅰ，放大区Ⅱ，饱 2021-10-07
- N沟道增强型电力场效应晶体管的N沟道是指沟道半导体材料为N型半导体。 2021-10-07
- 电力场效应晶体管的静态特性包括（）和（）。 A转移特性 B按秒特性 C漏极伏安特性 D 2021-10-07
- MOS管是一种单极型(只有电子或空穴作单一导电机构)的（）半导体元件。 A电流控 2021-10-07
- 电力场效应晶体管转移特性曲线的斜率表示栅极电压对（）的控制能力。 A开关状态 2021-10-07
- 由于通过其门极只能控制其开通，不能控制其关断，因此晶闸管被称为全控型器件。 2021-10-07
- 在门极无控制信号时，只要给晶闸管加正向电压或反向电压，晶闸管都会导通。 2021-10-07
- 从内部结构看，晶闸管是一种三端四层半导体器件，它由PNPN四层半导体材料组成，（指 2021-10-07
- 若要使晶闸管关断，必须（），晶闸管才能关断。 A去掉阳极所加的正向电压 B给阳极施 2021-10-07
- 当反向电压超过一定的限度，到（）电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增大 2021-10-07
- 与二极管正向伏安特性不同，晶闸管在门极开路时，即使施加一定的正向阳极电压，器 2021-10-07
- 晶闸管的阳极伏安特性是指晶闸管（）和阳极电压之间的关系曲线。 A阳极电流 B阴 2021-10-07
- 晶闸管早期称为（），1956年在美国贝尔实验室诞生，它的出现标志了电子革命在强电领 2021-10-07
- 当电力二极管应用在高频整流电路时可不考虑其动态过程，但在低频逆变器、低频 2021-10-07
- 在频率较高的电路中通常使用快恢复二极管。 2021-10-07
- 在航空应用中，电力二极管常被用于（）等场合。 A不可控整流 B电感性负载回路的续 2021-10-07
- 在负载中含有电感负载时，或在电源为电压源、电流源的逆变电路中，在全控型器件 2021-10-07
