在下图所示非对称式多谐振荡器电路中，G1、G2为CMOS反相器。tZ2答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台
（根据本体题干回答以下（1）（2）题）tZ2答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台

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（1）电容C充电时，vO2处在_____tZ2答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台
A.高电平tZ2答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台
B.低电平tZ2答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台
（2）电容C充电过程的起点值是_____tZ2答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台
AaVOLtZ2答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台
Bb. VTH−VOHtZ2答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台
CcVTH−(VOH−VOL)tZ2答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台
Db. ﹣tZ2答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台