问题：
[多选题]以下哪些陈述正确？
A低温工作、选择禁带宽度宽的半导体材料、减小光敏电阻薄膜的厚度，都能够减小器件的暗电流
B光敏电阻的渡越时间正比于电极间距的平方，反比于载流子迁移率和工作电压
C利用半导体薄膜制作光敏电阻，是因为被测光波大部分在半导体材料很浅的表面被吸收
D采用梳状电极结构，有利于提高光敏电阻的灵敏度
[多选题]以下哪些陈述正确？
A低温工作、选择禁带宽度宽的半导体材料、减小光敏电阻薄膜的厚度，都能够减小器件的暗电流
B光敏电阻的渡越时间正比于电极间距的平方，反比于载流子迁移率和工作电压
C利用半导体薄膜制作光敏电阻，是因为被测光波大部分在半导体材料很浅的表面被吸收
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