答案及解析：[单选题]MOS场效应晶体管的漏源端口是受控的非线性电阻，其受控机制和非线性特性均源自于： AMOS电容极板电压对导电沟道厚度的控制作用 BPN结正向导通、反偏截止特性 - 工学类题库- 答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台

投稿 | 充值 | 收藏

您当前的位置：首页 > 高教类 > 工学类

问题：

[单选题]MOS场效应晶体管的漏源端口是受控的非线性电阻，其受控机制和非线性特性均源自于：
AMOS电容极板电压对导电沟道厚度的控制作用
BPN结正向导通、反偏截止特性

Tags：学堂在线清华大学电子信息科学与技术导引(1)(2021春)期末考试题题答案

答案解析：

您可能感兴趣的问题

相关问题

关于我们 | 用户指南 | 版权声明 | 给我留言 | 联系我们 | 积分商城 | 答案求助 | 网站地图

Copyright © 2024 www.daanwo.com All Rights Reserved

沪ICP备19038360号-2