答案及解析：[判断题]非竖直跃迁,一方面涉及电子和电磁辐射的相互作用,另一方面又涉及电子和晶格的相互作用,比竖直跃迁概率小很多,因此,间接带隙半导体材料不能应用于发光器件。( )

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[判断题]非竖直跃迁,一方面涉及电子和电磁辐射的相互作用,另一方面又涉及电子和晶格的相互作用,比竖直跃迁概率小很多,因此,间接带隙半导体材料不能应用于发光器件。( )

答案解析：

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