问题：
[单选题]
在理想MIS结构(n型半导体)开启电压VT的计算中,没有考虑强反型少子(即空穴)电荷的原因是______
A.以上均不是
B.反型空穴离界面太近
C.反型空穴与电子正好是电中性的
D.反型空穴总数太少
[单选题]
Tags：复旦大学半导体物理与器件原理测验题答案 MIS结构
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