一个n+多晶硅栅极NMOS晶体管，其衬底掺杂浓度为5E15 cm-3，氧化层厚度为100 nm，测得其阈值电压为0.5V，试计算Si/SiO2界面处固定电荷面密度。（kT=0.026eV）YKb答案窝(daanwo.com)-大学生作业答案及考资分享平台

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