PN结
- PN结具有众多基本特性，例如电流电压特性、电容效应、隧道效应、雪崩效应、开 2024-07-01
- 形成PN结的方法一般有() A合金法 B扩散法 C离子注入法 2024-08-02
- PN结本身也是一种器件:整流器。( ) 2024-08-02
- 在PN结的空间电荷区,与电离杂质浓度相比,自由载流子浓度可以忽略。( ) 2024-08-02
- 对于单边突变PN结,在重掺杂一侧的空间电荷区宽度是可忽略的,空间电荷区主要 2024-08-02
- PN结的电导率σ = qnμn + qpμp 与载流子浓度和迁移率有关,在电中性区电导 2024-08-02
- PN结空间电荷区的宽度与接触电势差高度的1/2次方成正比,与半导体掺杂浓度的 2024-08-02
- PN结加正向偏压是指()。 A 在PN结的N侧加上相对P侧为正的电压V B 在PN 2024-08-02
- PN结加反向偏压时,外加电场的方向和内建电场方向()。 A 相同 B 相反 2024-08-02
- 当PN结加正向偏压时,在结边缘np>np0,pn>pn0,这种现象为()。 A 少子注入 2024-08-02
- 理想PN结IV特性的讨论是建立在以下基本假设上() A 外加电压全部降落在耗 2024-08-02
- PN结耗尽层的宽度在正向偏压的情况下会变窄,在反向偏压的条件下增宽。( ) 2024-08-02
- 加正向偏压的PN结,通过电注入的方式注入非平衡载流子,体系处于非平衡的状态 2024-08-02
- PN结加正向偏压时,空间电荷区内建电势差减小。( ) 2024-08-02
- 当PN结外加偏压时,势垒高度被外加电压改变,在非平衡态时电子和空穴分别各自 2024-08-02
- PN结的击穿机制有() A 雪崩击穿 B 齐纳击穿 2024-08-02
- PN结势垒电容与轻掺杂浓度有关,浓度越大,电容越大;而反向偏压越大,势垒电容 2024-08-02
- 对于突变PN结,电容倒数的平方是外加反偏电压的线性函数。( ) 2024-08-02
- 单边突变PN结可用于确定掺杂浓度和自建电势。( ) 2024-08-02
- 金半接触可看成单边突变PN结的情况,可以通过电容倒数的平方与电压的对应关 2024-08-02
- 肖特基二极管和PN结二极管主要的区别包括() A 肖特基二极管是多子器件,而 2024-08-02
- n-Si/p-Si形成的PN结被称为()。 A 同质PN结 B 异质PN结 C 同型异质结 2024-08-02
- n-GaAs/p-AlGaAs形成的PN结被称为()。 A 同质PN结 B 异质PN结 C 同型 2024-08-02
