问题：
理想PN结IV特性的讨论是建立在以下基本假设上()
A
外加电压全部降落在耗尽区上
B
均匀掺杂,空间电荷区内不存在复合电流和产生电流
C
小注入的情况
D
半导体均为非简并半导体
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