第一章 半导体发光材料基础

• 在绝对零度,可以被电子填满的最高能带形成____? A价带 B导带 C禁带
• 电子可以摆脱单个原子束缚,并在整个半导体材料中自由移动的能带,称为() A价带 B导带 C禁带…
• 导带底与价带顶对应相同波数的半导体是____ A直接带隙半导体 B间接带隙半导体 C本征半导体 D…
• 不管是本征半导体还是非本征半导体,热平衡条件下均满足浓度作用定律。( )…
• 如果载流子浓度乘积满足浓度定律,那么表示系统处于热平衡状态。( )…
• 本征半导体的电子浓度和空穴浓度相等,费米能级位于禁带中央位置。( )…
• 本征半导体的电子浓度和空穴浓度相等。( )
• 非平衡载流子小注入时,非平衡____载流子的变化和影响较大。 A多数 B少数 C无数…
• 可以使半导体偏离热平衡状态的外界作用有() A热效应 B电效应 C光效应…
• 非平衡载流子的寿命标志着其浓度减小到原值的1/e所经历的时间。寿命不同,衰减的快慢不同。( )…
• 处于热平衡系统的半导体其各处具有统一的费米能级。( )
• 一个本征半导体,在一定温度下,由于温度的热激发作用,可以激发出成对的电子-空穴对。( )…
• 非平衡载流子的寿命的导数τ分之一表示单位时间内非平衡载流子的复合几率。( )…
• 对于半导体体系的准平衡状态,引入____来描述非平衡状态下载流子的浓度。 A费米能级 B准费米能…
• 具有统一的费米能级,是半导体系统处于热平衡状态的标志。( )
• 非平衡载流子刚注入时,半导体体系即达到准平衡状态。( )
• 非平衡载流子注入后,经过晶格驰豫,半导体体系达到准平衡分布,即数量不平衡,能量分布平衡的状态。…
• 半导体体系的准平衡状态,可以理解为电子子系统与晶格系统在能量分布上是平衡的,空穴子系统与晶格…
• 非平衡载流子的复合机制,按复合过程发生的位置分类,分为() A直接复合 B体内复合 C表面复合 D…
• 影响非平衡载流子寿命的因素包括() A费米能级位置 B非平衡载流子浓度 C复合中心能级位置 D温…
• 半导体材料的深能级通常是有效的复合中心。( )
• 表面复合也是一种间接复合。( )
• 间接复合过程中区别直接复合的是,电子-空穴对通过复合中心能级的参与发生复合,成对消失,而复合中…

第二章 半导体PN结

• 当N型半导体和P型半导体接触时,由于存在载流子的浓度梯度,载流子会发生()运动。 A扩散 B漂移 …
• 在PN结自建电场的作用下,载流子会发生()运动。 A扩散 B漂移 C隧穿
• PN结自建电场的方向为()。 A由N型区指向P型区 B由P型区指向N型区 C由正极指向负极 D由负极指…
• 形成PN结的方法一般有() A合金法 B扩散法 C离子注入法
• 所有半导体结型器件都由PN结构成。( )
• PN结本身也是一种器件:整流器。( )
• 当N型半导体和P型半导体相接触时形成一个整体,那么这个体系的费米能级在热平衡时必定恒等。( )…
• PN结空间电荷区由N型区到P型区电势能是逐渐上升的,能带逐渐向上弯曲,且成抛物线型。( )…
• 在PN结的空间电荷区,与电离杂质浓度相比,自由载流子浓度可以忽略。( )…
• 热平衡PN结具有统一的费米能级。( )
• 对于单边突变PN结,在重掺杂一侧的空间电荷区宽度是可忽略的,空间电荷区主要分布在轻掺杂的半导体…
• PN结的电导率σ = qnμn + qpμp 与载流子浓度和迁移率有关,在电中性区电导率由多数载流子浓度和…
• PN结空间电荷区的宽度与接触电势差高度的1/2次方成正比,与半导体掺杂浓度的1/2次方成反比。( )…
• PN结加正向偏压是指()。 A 在PN结的N侧加上相对P侧为正的电压V B 在PN结的P侧加上相对N侧为…
• PN结加反向偏压时,外加电场的方向和内建电场方向()。 A 相同 B 相反…
• 当PN结加正向偏压时,在结边缘np>np0,pn>pn0,这种现象为()。 A 少子注入 B 少子抽取…
• 理想PN结IV特性的讨论是建立在以下基本假设上() A 外加电压全部降落在耗尽区上 B 均匀掺杂,…
• PN结耗尽层的宽度在正向偏压的情况下会变窄,在反向偏压的条件下增宽。( )…
• 加正向偏压的PN结,通过电注入的方式注入非平衡载流子,体系处于非平衡的状态。( )…
• PN结加正向偏压时,空间电荷区内建电势差减小。( )
• 当PN结外加偏压时,势垒高度被外加电压改变,在非平衡态时电子和空穴分别各自与晶格在能量分布上处…
• 对于线性缓变结,势垒电容倒数的(),与外加反向偏压成线性变化关系。 A 平方 B 立方…
• 隧道二极管的电流包括隧道电流和()。 A 扩散电流 B 漂移电流
• 隧道二极管是利用()的隧道效应工作的 A 多子 B 少子
• PN结产生隧道电流,主要需要满足的条件() A 费米能级位于导带或价带的内部 B 空间电荷区的宽…
• PN结的击穿机制有() A 雪崩击穿 B 齐纳击穿
• PN结势垒电容与轻掺杂浓度有关,浓度越大,电容越大;而反向偏压越大,势垒电容减小。( )…
• 对于突变PN结,电容倒数的平方是外加反偏电压的线性函数。( )
• 单边突变PN结可用于确定掺杂浓度和自建电势。( )

第三章 金属-半导体接触

• 真空能级与半导体导带底之间的能量差是指()。 A 功函数 B 电子亲和势…
• 真空能级与费米能级之间的能量差是指()。 A 功函数 B 电子亲和势
• 金属和P型半导体接触时,当金属功函数小于半导体功函数,理想情况下会形成()。 A 肖特基接触 B …
• 表面态对金半接触势垒的影响有() A 半导体内能带弯曲的程度对金属功函数不敏感 B 势垒高度与…
• 由于半导体表面周期性的破坏,通常会形成表面态,这些表面态的能级主要分布在禁带中。( )…
• 分析表明,表面态能级水平分布在半导体价带之上三分之一Eg处。( )分析表明,表面态能级水平分布在…
• 由于费米能级于钉扎效应的存在,金属即使与半导体接触,也没有直接交换电子,而是通过表面态能级的…
• 金半接触可看成单边突变PN结的情况,可以通过电容倒数的平方与电压的对应关系,外推得到势垒高度和…
• 金半接触的电子输运情况比较复杂,主要是基于扩散模型和热电子发射模型来分析,其中()主要适用于势…
• 另一种输运理论是热电子发射理论,主要适用于势垒宽度()电子平均自由程的情况。 A 远大于 B …
• 肖特基二极管和PN结二极管主要的区别包括() A 肖特基二极管是多子器件,而PN结二极管是少子器件…
• 实际情况下的金半接触由于镜像力和隧道效应的影响,使其反向偏压的电流增大,而且会随着反向偏压增…
• 金属和重掺杂半导体接触时,不论金属和半导体功函数的大小,这种金半接触均为欧姆接触。( )…

第四章 半导体异质结构

• n-Si/p-Si形成的PN结被称为()。 A 同质PN结 B 异质PN结 C 同型异质结
• n-GaAs/p-AlGaAs形成的PN结被称为()。 A 同质PN结 B 异质PN结 C 同型异质结…
• n-GaN/n-AlGaN形成的结被称为()。 A 同质PN结 B 异质PN结 C 同型异质结…
• 异质结的制备方法通常包括() A 液相外延 B 金属有机化学气相沉积MOCVD C 分子束外延MBE…
• 在异质结界面处出现的悬挂键会引起界面态,界面态的密度依赖于晶格常数的差别和界面的晶体取向。(…
• 由于晶格失配的存在,在异质结界面处会出现未配对的悬挂键,从而引起晶格缺陷,产生应变、位错。( )…
• GaN与硅衬底和蓝宝石衬底的晶格失配度都很大,因此不宜选取蓝宝石作为制备GaN外延薄膜的衬底。( )…
• 半导体异质结的特性主要包括() A 高注入比 B 超注入比 C 对载流子和光场有限制作用 D 窗…
• 在半导体激光器中注入比决定了激光器的阈值电流密度和注入效率。( )…
• 决定同质结晶体管注入比的是掺杂浓度,要得到高注入比,PN结的一边应高掺杂。( )…
• 决定渐变异质结注入比的关键因素是半导体禁带宽度的差。( )
• 半导体激光器中采用异质结结构有利于实现粒子数反转分布。( )
• 双异质结的结构可以同时实现对载流子和光场的限制作用。( )
• 禁带宽度小的材料,折射率大。( )
• 两种半导体在一起形成异质结时,由于禁带宽度不同,对光波的吸收波长也不同,即光响应不同。( )…
• 光子可穿透宽带材料而被窄带材料吸收,产生光电流。( )
• 在制作异质结太阳能电池的窗口层、激光器端面保护层时需要考虑到窗口效应。( )…
• 两个靠得足够近的相向异质结可以构成理想的矩形势阱,当阱宽可以和电子的德布罗意波长相比,而势垒…
• 由两种或两种以上性质不同的薄膜相互交替生长而形成的多层结构的人造晶体被称为()。 A 单量子…
• 组分超晶格根据两种半导体材料能带分布情况的不同,分为三种不同类型,其中电子势阱和空穴势阱位于…
• 半导体超晶格的类型包括() A 组分超晶格 B 掺杂超晶格 C 应变超晶格…
• SiGe/Si是一种典型的()材料 A 组分超晶格 B 掺杂超晶格 C 应变超晶格…
• 多量子阱中,由于势阱的限制作用,每一个势阱中的电子或空穴在垂直于结面方向运动的能量不再连续,…
• 多量子阱中电子和空穴的运动是准二维运动。( )
• 超晶格又称人造晶格,是一种人造的周期性结构。( )
• 组分超晶格是指在同一单晶上的大量重复相间的组分不同的薄层,每层的厚度都很小,都可和电子的德布…
• 掺杂超晶格可以看成是大量pn结的重复,其周期比空间电荷区的宽度小很多。( )…
• I型超晶格相邻势阱中的电子可以互相耦合,能级扩展成能带,形成一系列子能带。在每个子能带上的电…
• 掺杂超晶格的等效带宽可以具有从零到未调制的基体材料能隙之间的任何值,取决于各层厚度和掺杂浓…
• 多量子阱结构,其势垒足够厚和高,相邻势阱中的电子波函数不发生交叠,电子行为如同单个阱中电子行…
• 多量子阱结构主要适合制作低阈值、窄谱线的发光器件超晶格结构适合制作大功率的光电器件。( )…
• 量子尺寸效应中,当半导体材料的尺寸减小到某一值时,随着尺寸的减小,光吸收谱发生()。 A 蓝移 …
• 量子限制斯塔克效应主要发生在具有()的半导体构成的量子阱结构中。 A 压电效应 B 极化效应 …
• 量子限制斯塔克效应中,当在(多)量子阱上加偏压时,由于压电效应,量子阱的能带会发生倾斜,吸收边发…
• 量子阱和超晶格结构中主要的新现象和效应包括() A 量子尺寸效应 B 量子限域效应 C 共振隧…
• 对于III-V族氮化物,包括GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN等,材料中存在极化效应一般包括()。 A 自…
• 当半导体材料的尺寸小于或者等于该材料的激子玻尔半径时,准连续的能级转化为离散的能级。( )…
• 由于量子限域效应,激子的最低能量向高能方向移动,即发生蓝移。( )
• 自发极化源自晶胞结构的非对称性,其方向只跟外延方向有关。( )
• 压电极化源自不同外延层之间的应力,其方向跟晶胞结构及应力性质有关。( )…
• 在AlGaN/GaN突变异质结结构中,即使不对AlGaN势垒层进行任何掺杂,也可产生大量二维电子气。( )…
• 只有沿极性面生长的GaN量子阱结构才会有自发极化和压电极化效应。( )…
• 沿非极性面生长的GaN量子阱结构,在外场作用下能带不会发生倾斜,不会产生量子限制斯塔克效应,对发…

第五章 典型半导体发光材料

• 半导体材料中的电子由高能态向低能态跃迁时,以光子的形式释放多余的能量,这称为()。 A 辐射跃…
• 如果等电子杂质的电负性比晶格原子的电负性大,则可以形成电子的束缚态,这样的等电子陷阱也可称为…
• 如果电子和空穴复合时,把多余的能量传递给第三个载流子,使它在导带或价带内部激发,然后,第三个载…
• 根据激励方式的不同,半导体材料的发光机制有两种()。 A 光致发光 B 电致发光 C 直接发光 …
• 半导体材料的发光过程就是电子从高能态向低能态辐射跃迁的过程,也就是电子-空穴对复合的过程,辐…
• 由于半导体材料能带结构的不同,带间辐射复合又可以分为两种()。 A 自发辐射复合 B 受激辐射…
• 半导体材料中的发光主要是导带和价带之间的跃迁,发射的光子能量近似等于半导体的禁带宽度。( )…
• 带间辐射复合是本征吸收的逆过程,由于能带中准连续能级的分布,发射的光谱有一定的宽度。( )…
• 直接跃迁过程中,电子的准动量守恒易于满足,跃迁概率大,直接辐射复合的效率高。( )…
• 非竖直跃迁,一方面涉及电子和电磁辐射的相互作用,另一方面又涉及电子和晶格的相互作用,比竖直跃…
• 深能级杂质往往是造成非辐射复合的根源,不会产生辐射复合过程。( )…
• GaP是一种间接带隙半导体材料,不能用于发光器件。( )
• 激子间的复合也可以以辐射复合的方式释放能量,发射出光子,且通常具有很高的发光效率。( )…
• 砷化镓通过掺杂Al、In、P等元素可以调节其禁带宽度,通过掺杂Si元素分别替代Ga或者As离子可实现n…
• 磷化镓是间接带隙,但是作为发光二极管的基础发光材料,相对而言仍具有较高的发光效率。( )…
• GaP掺杂Zn-O等电子对可以实现高效红光发射。( )
• GaN通过掺杂施主杂质Si和受主杂质Mg可实现n型和p型半导体。( )
• GaN通过掺杂Al或者In,其禁带宽度可从6.2eV连续调节到0.7eV,覆盖了从紫外到红外的非常宽的光谱范…
• 氮化镓是性能优异的短波长半导体发光材料,主要用于紫外、蓝光和绿光波段的发光器件。( )…
• 碳化硅是一种间接带隙半导体,是高温、高压、高频、大功率器件的理想材料。( )…
• 四元固溶体InGaAsP主要用于光纤通信和红光发光二极管等领域,通过组分的调节,覆盖波长范围可从砷…
• 氮化镓的晶体结构主要有立方纤锌矿和六方闪锌矿两种结构。( )
• 由于直接带隙半导体材料具有更高的发光效率,所以主要的半导体发光材料为直接带隙的III-V族、II-V…
• 在GaAs衬底上外延生长GaAs薄膜,称为()。 A 同质结外延 B 异质结外延 C 正外延 D 反外延…
• 通常氮化镓外延层的生长需要选择蓝宝石或者碳化硅等衬底,属于()。 A 同质结外延 B 异质结外…
• 在材料的生长过程中可以实时监控,即生长过程中就能测出实时生长的材料的组分、厚度、晶体质量等…
• 在超高真空条件下,构成晶体材料的每个组分和掺杂的原子(或分子)以一定热运动速度、按一定比例喷…
• MBE系统的主要组成部分包括()。 A 进样室 B 预处理室 C 生长室 D 实时监控设备…
• MBE系统中利用反射式高能电子衍射仪可以()。 A 实时观测样品表面形貌 B 实时判断材料生长机…
• MOCVD系统的主要组成部分包括()四大部分。 A 源输运系统 B 反应室系统 C 控制系统 D 尾…
• 半导体材料的外延生长需要选取合适晶体结构和晶向的单晶衬底材料,其会影响或者说决定衬底之上外…
• MOCVD方法使用的气体源的毒性非常大,因此需要安装精密的监测系统和尾气处理系统,以保证人身安全…
• MBE方法生长化合物半导体材料所用的源为高纯固态单元素源或高纯气态分子原子。( )…
• MBE方法能够实时测量外延层的生长速率和厚度、表面原子排布、表面形貌、晶体质量等丰富的信息,适…
• MBE系统中高能电子衍射仪用来实时监测外延材料的表面信息。( )
• 光学反射生长进程监控仪,则是用来提供III-V族氮化物薄膜生长过程中的温度、生长速率和薄膜厚度等…
• MOCVD是一种非平衡状态下的反应生长技术。( )
• MOCVD系统主要可用于产业化生产,因为其生长速率快,可设计生长室同时生长多片,重复性好,适宜于大…

第六章 发光二极管LED

• 为了改善LED的注射效率和辐射效率,通常采用在多量子阱区的p侧插入一层(),选用p型的宽禁带AlGaN。…
• 在GaN基LED顶部电极之下插入()以改善电流分布,提高注入效率。 A 电子阻挡层 B 电流阻挡层 C…
• 目前红光LED的材料主要是AlGaInP系列,蓝光绿光及紫外光LED的主要材料是AlGaInN系列材料。( )…
• 在蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜,一般首先生长成核层和缓冲层,以改善GaN外延薄膜的晶体质量。( )…
• GaN蓝光二极管是采用InGaN/GaN多量子阱层作为活性层。( )
• LED发射光子的能量或光波的波长是由多量子阱结构中阱层材料(窄带材料)的禁带宽度决定的。( )…
• 由于蓝宝石衬底是绝缘材料,早期的GaN基LED多采用传统的平面电极结构。( )…
• LED的量子效率中,单位时间内输出二极管外的光子数目与注入的载流子数目之比是指()。 A 外量子…
• LED的量子效率中,单位时间内半导体内辐射复合产生的光子数与注入的载流子数目之比是指()。 A …
• LED的量子效率中,单位时间从器件中取出来的光子数与半导体内辐射复合产生的光子数之比是指()。 …
• 由于工作电流和电压低,LED可以做到很小尺寸,可以看作点光源,适宜用于发光显示。( )…
• 量子效率是发光二极管特性中一个与辐射量有关的重要参数,它反映了注入载流子复合产生光量子的效…
• LED总的发光效率等于内量子效率×光取出效率×电压效率。( )
• 根据LED中发光的具体过程,量子效率包括注射效率、辐射效率、光取出效率,对应着LED发光的3个重要…
• 对于电压效率,其影响因素主要是器件中各层材料的体电阻和结电阻,可以通过尽量降低器件中的各种电…
• 注射效率与载流子的注入和输运有关,所以提高注射效率的方法就是优化电极结构、改善电流分布。( )…
• 提高辐射效率,一方面要改善晶体质量,减少缺陷,另一方面需要采用最佳活性层多量子阱结构作为发光…
• 提高光取出效率,可以采用优化器件结构和几何外形、采用粗糙的出光面、透明衬底或者衬底上加反射…
• 电流扩展层采用电导率小的材料,而电流局限层采用电导率大的材料。( )…
• 为了消除蓝宝石衬底对器件电极分布和散热问题的影响,可以通过激光剥离的方法将蓝宝石衬底去除掉,…
• 大尺寸LED可做成叉指状的电极分布,让p型电极和n型电极交错排布,以减少电流经过的距离。( )…
• 传统的蓝宝石衬底GaN LED芯片结构,通常采用正装结构,电极刚好位于芯片的出光面。( )…
• 传统的蓝宝石衬底GaN正装LED芯片的器件功率、出光效率和热性能均不可能是最优的。( )…
• 为了克服正装芯片的不足,可以采用倒装芯片结构FC-LED,光从蓝宝石衬底取出。( )…
• 采用图形衬底可使外延层按ELOG外延横向过生长的机制生长,减少位错密度,提高内量子效率。( )…
• 图形衬底技术即可提高内量子效率,也可同时提高外量子效率。( )

第八章 半导体激光器

• 半导体激光器的发光过程是基于()。 A 自发辐射发光 B 受激辐射发光 C 复合发光 D 激子发…
• 半导体发光二极管的发光过程是基于()。 A 自发辐射发光 B 受激辐射发光 C 复合发光 D 激…
• 产生激光必须具备三个要素()。 A 有激活介质,激活介质经受激辐射后能实现能级之间的跃迁 B …
• 相比LED,半导体激光器具有更好的单色性、相干性、方向性及更高的亮度。( )…
• 产生激光发射的必要条件之一是受激辐射占主导地位。( )
• 受激辐射的光子与入射光子同属一个光子态,是特性完全相同的光子。( )…
• 受激辐射与自发辐射最重要的区别是发射的光子的相干性。( )
• 能够产生受激辐射占主导和产生受激吸收占主导的物质是具有不同特性的。( )…
• 当光通过激活介质时,会产生放大作用,入射光宏观上表现为光放大。( )…
• 要实现受激辐射跃迁,需要激活介质实现粒子数反转分布。
• 半导体激光器产生激光第三个必要条件是()。 A 谐振腔 B 受激辐射 C 复合发光粒子数反转分…
• 激光产生后,若要实现稳定的工作还需要满足两个条件()。 A 合适长度的谐振腔,需要满足一定的相…
• 产生粒子数反转的方法对于半导体激光器来说是需要选用简并半导体,通过施加电压注入载流子。( )…
• 谐振腔的作用是可使腔内的受激辐射能够多次通过激活介质,在腔内来回反射连锁放大。( )…
• 与固体激光器和气体激光器不同的是,半导体激光器是用PN结作激活区,用半导体天然解里面作为反射镜…
• 利用分布布拉格反射镜替代半导体晶体的自然解理面构造谐振腔实现正反馈的半导体激光器是()。 A …
• 根据激光产生的三个必要条件可知,半导体激光器的基本结构包括()。 A 驱动电源 B 激活物质 C…
• 垂直腔表面发射半导体激光器的主要优点有()。 A 阈值电流低,不依赖半导体的解理面 B 可以制…
• 利用双异质结结构的半导体激光器就可以同时实现对载流子和光子的限制。( )…
• 双异质结半导体激光器的阈值电流与同质结半导体激光器相比显著降低,可以实现室温下的连续工作。(…
• 利用半导体晶体自然解理面作为端面谐振腔的半导体激光器也被称为边发射半导体激光器。( )…
• FB腔半导体激光器是利用半导体晶体自然解理面作为端面镜面构造谐振腔,这种激光器通常输出多纵模…
• 实现半导体激光器单模输出的一种途径是减少谐振腔腔长,增加模式之间的波长间隔,使其大于增益线宽…
• 随着驱动电流的增加,谐振腔的选模作用增强,发射光谱变窄。( )
• 为了提高外微分量子效率,需要设法做到:提高内量子效率;尽量减少自由载流子吸收损耗和有源层外的…
• 半导体激光器对温度十分敏感,其输出功率随温度会发生很大变化。( )…
• 在低温时,半导体激光器有非常好的线性特性,随着温度的升高,P-I特性变差。( )…

第九章 固体激光器

• 第一台红宝石激光器就是以()为激活离子的固体激光器。 Cr离子 Co离子 Fe离子 Tm离子…
• 对固体激光材料的主要要求有()。 A 激光材料在激光材料在泵浦光的辐射区有较大的吸收截面 B …
• 常用的基质材料有()。 A 玻璃 B 晶体 C 陶瓷
• 固体激光材料由基质材料和激活离子两部分组成,其中基质材料决定了工作物质的各种物理化学性质,而…
• 固体激光材料的基质材料应能为激活离子提供合适的配位场,决定工作物质的各种物理化学性质。( )…
• 作为基质材料,激光晶体材料具有热导率高、荧光谱线窄、硬度大等优点。( )…
• 钕玻璃固体激光器不适用于连续或高重复率的工作条件。( )
• 固体激光器通常由三部分组成()。 A 固体工作物质 B 泵浦激励源 C 谐振腔…
• 激光二极管泵浦固体激光器的主要特点()。 A 能量转换效率高 B 寿命长,系统稳定可靠 C 热效…
• 固体激光器的泵浦源,也就是激励源,是将电能有效地转换为辐射能,并在给定的光谱带上产生高的辐射…
• 固体激光器的光泵浦系统可分为惰性气体、金属蒸汽放电灯和半导体二极管等。( )…
• 反馈作用取决于两个因素,一是组成腔的两个反射镜面的反射率,二是,反射镜的几何形状及其组合方式…
• 光学谐振腔的作用包括,控制腔内振荡光束特性,使腔内建立的振荡被限制在腔所决定的少数本征模式中…

第十章 光电探测材料及器件

• 光电探测器的物理效应通常分为光子效应和光热效应两大类,其中()是指单个光子能直接产生光生载流…
• 利用()的光电探测器,探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把其转化为…
• ()是指探测器在波长为λ的单色光照射下,输出电压或电流与入射的单色光功率之比。 A 光谱响应度…
• 光子器件和热电器件的主要区别为()。 A 光子器件的响应与入射波长有关,一般具有截止波长 B …
• 光电探测器常见的噪声有()。 A 热噪声 B 散粒噪声 C 产生-复合噪声 D 1/f噪声…
• 能把光辐射量转换成电量(电压或者电流)的器件都是光电探测器件。( )…
• 若光谱响应度为常数,则相应的探测器称为无选择性探测器,如光热探测器。( )…
• 光电探测器的响应时间参数τ描述光电探测器对入射光响应速度的快慢。( )…
• 噪声等效功率NEP越小,噪声越小,器件的性能越好,探测能力越强。( )
• 光敏电阻又称光导管,或光电导探测器,为纯电阻元件,其工作原理基于(),其阻值随光照增强而减小。 …
• 半导体光电探测器件中,结构最为简单的是光敏电阻,其结构中无PN结,无极性,使用方便。( )…
• 光敏电阻的暗电阻越大,亮电阻越小则性能越好,灵敏度高。( )
• 光敏电阻的时间常数较大,一般为ms量级。( )
• 光敏电阻的频率响应特性曲线,随着频率的增大,相对电流迅速减小。频率上限较低,光敏电阻只适合探…
• 光敏电阻的光照特性曲线均呈非线性,因此它不宜作定量检测元件,一般在自动控制系统中用作光电开关…
• 光电二极管的原理为()。 A 光生伏特效应 B 光热效应 C 光电效应
• 当测量高速运动对象时,动态响应特性就成为一个重要考虑的因素,可选用()等动态特性好的器件。 A …
• 影响PN光电二极管频率响应特性的因素主要有()。 A 耗尽区光生载流子的漂移时间 B 耗尽区外的…
• PIN光电二极管其优点包括()。 A 增大了耗尽层厚度,减小结电容,同时减小了慢电流,改善了频响特…
• 雪崩光电二极管一般具有以下特点()。 A 反向偏压高,一般为200 V,接近(小于)反向击穿电压 B …
• PN光电二极管通常工作于反偏模式,在反向偏压下,可以显著提高光电导。( )…
• 光电二极管的频率特性是半导体光电器件中最好的一种,特别适合快速变化的光信号探测。( )…
• 为了提高PN光电二极管的频率响应特性,需要增大耗尽区宽度,使光生载流子主要在耗尽区产生;降低结…
• 光电二极管光照特性呈较好的线性关系,饱和阈值高,适用于光度量。( )…
• 随着温度的升高,光电二极管的光电流和暗电流都会增大。( )
• 在光电二极管中,耗尽层厚度直接影响光电量子效率和频响特性:耗尽层越宽,光电效率越高,频率响应越…
• PIN光电二极管即使在最大的响应度下,一个光子最多也只能产生一对电子-空穴对,是一种无内部增益的…
• 雪崩光电二极管是基于载流子雪崩光电效应,从而提供电流内增益的光电二极管。( )…
• 反向偏压越高,雪崩增益越大。要得到足够的增益,必须在接近击穿电压下工作。( )…
• 光电三极管比光电二极管具有更高的灵敏度。( )
• 由于光电三极管的输出电流大,灵敏度高,但是线性度和频响差,所以一般用于控制开关,不适合用于对光…