问题：
[多选题]下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有
A多晶硅和衬底半导体材料之间的功函数差的绝对值增大
B栅极氧化层厚度变薄（单位面积的栅氧化层电容增大）
C氧化层中的表面电荷（正电荷）减少
D在沟道区人工注入p型杂质离子使得单位面积的电荷密度升高
[多选题]下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有
A多晶硅和衬底半导体材料之间的功函数差的绝对值增大
B栅极氧化层厚度变薄（单位面积的栅氧化层电容增大）
C氧化层中的表面电荷（正电荷）减少
D在沟道区人工注入p型杂质离子使得单位面积的电荷密度升高
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