学堂在线清华大学数字超大规模集成电路设计(2020秋)章节测试题答案
- 如果利用开关共享的方法化简下面的MOS开关网络，那么晶体管M2和晶体管M___可 2020-11-30
- 晶体管M4和晶体管M___可以合并成一个。 2020-11-30
- 请写出下面逻辑门所对应的布尔表达式是 2020-11-30
- 如果要用一个静态互补CMOS逻辑门实现Z=AB+C的逻辑功能,其电路图如下,其中编 2020-11-30
- 集成电路的主要生产阶段分为: 圆片制备->前端工艺->后端工艺->划片->封装， 2020-11-30
- 下图的版图中NMOS管在___边，PMOS管在___边。 2020-11-30
- 在下面的晶体管剖面图中依次标出各个编号所指的部位对应的MOS管的结构名称 2020-11-30
- N阱的引出端处需要进行___型的重掺杂 2020-11-30
- 下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有 2020-11-30
- 增强型PMOS晶体管的阈值电压_______0，发生强反型时的VGS应该_______0。（填写> 2020-11-30
- 下图是短沟增强型NMOS管的一阶手工分析模型的源漏电流-源漏电压关系图，L1、L 2020-11-30
- 短沟MOSFET速度饱和区工作时漏源电流与(VGS-VT)的__________次方成正比；长沟 2020-11-30
- 根据下图所示的MOS管版图，可知下列几个寄生电容与沟道宽度W成正比的有 （粉色 2020-11-30
- 已知一个MOS管的单位面积栅氧化层电容等于6 fF/μm^2, 它的沟道宽度为2 μm 2020-11-30
- 下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是 2020-11-30
- 一个PMOS管的零偏置（VBS=0）阈值电压等于-0.4V，体效应系数等于-0.4，计算VSB=-2.5 2020-11-30
- 亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成___关系。 2020-11-30
- 下图的NMOS晶体管存在的电源漏电流有____（注意晶体管的偏置情况！） 2020-11-30
- 当温度升高时，MOS管的漏极饱和电流将____， 亚阈值漏电流将_____。 2020-11-30
- 下列VTC曲线图对应功能正确的反相器的是：（） 2020-11-30
- 对一个CMOS反相器，增大PMOS管和NMOS管的沟道宽度之比(Wp/Wn)，其开关阈值将___ 2020-11-30
- 数字集成电路中的噪声来源主要有片内的___噪声，和来自片外的____噪声，前者与 2020-11-30
- 下列两种反相器的VTC曲线，正确的是—— 2020-11-30
- 当电源电压低于MOS管的阈值电压后逻辑门将无法正常工作。 2020-11-30
- 下图所示的NOR门下列两种情形所对应的开关阈值电压高的是____ 2020-11-30
