问题：
[单选题]下图是短沟增强型NMOS管的一阶手工分析模型的源漏电流-源漏电压关系图，L1、L2和L3三条虚线把晶体管的工作区划分为三个区域（分别用I、II、III表示），它们分别对应线性区（电阻区）、速度饱和区和饱和区。下列工作区名称对应关系正确的是
AI-线性区， II-饱和区， III-速度饱和区
BI-速度饱和区， II-饱和区， III-速度饱和区
CI-截止区， II-速度饱和区， III-饱和区
DI-线性区， II-速度饱和区， III-饱和区
[单选题]下图是短沟增强型NMOS管的一阶手工分析模型的源漏电流-源漏电压关系图，L1、L2和L3三条虚线把晶体管的工作区划分为三个区域（分别用I、II、III表示），它们分别对应线性区（电阻区）、速度饱和区和饱和区。下列工作区名称对应关系正确的是
AI-线性区， II-饱和区， III-速度饱和区
BI-速度饱和区， II-饱和区， III-速度饱和区
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