[填空题]MEMS加工需要将光刻胶图形转移到材料上,从而得到微结构。刻蚀法中,作为刻蚀掩蔽层的光刻胶图形必须有(____)的图形分辨率和抗刻蚀性,光刻胶越薄则图形分辨率越(____),但光刻胶变薄时抗刻蚀性(____)。（选填“高”或“低”或“升高”或“降低”）