绪论单元测试

　　1. 微纳加工是以平面集成加工为代表的非传统的加工方法， 加工形成的部件或

　　结构本身的尺寸在( ) 量级。

　　A:纳米

　　B:微米

　　C:微米或纳米

　　答案:C

　　2. 光刻工艺的基本要素主要包括( ) 。

　　A:光刻胶

　　B:对准系统

　　C:光源

　　答案:ABC

　　3. 刻蚀法图形转移技术的关键刻蚀参数： ( ) 。

　　A:掩膜的抗刻蚀比

　　B:掩膜的抗刻蚀比和刻蚀的方向性

　　C:刻蚀的方向性

　　答案:B

　　4. 间接加工技术能够绕过现有设备加工能力极限， 意指直接光刻技术， 其图形

　　结构的分辨率决定于某种光刻方法的分辨率。 ( )

　　A:对

　　B:错

　　答案:B

　　5. 间接加工技术就是光刻加图形转移技术。 ( )

　　A:对

　　B:错

　　答案:B

　　第一章测试

　　1. 光学曝光的目的是把掩模上的图形成像到( ) 上。

　　A:Si 片

　　B:光刻胶

　　C:底片

　　答案:B

　　2. 软接触通过调整( ) 实现。

　　A:曝光强度

　　B:压力大小……此处隐藏6138个字…… . 侧壁沉积法中， 沉积时应选择各向同性沉积， 而刻蚀时应选择方向性好的各

　　向异性刻蚀。 ( )

　　A:错

　　B:对

　　答案:B

　　第九章测试

　　1. 传统的平面集成电路加工技术是( ) 技术， 分子自组装是() 技术。

　　A:bottom-up; top-down

　　B:top-down; bottom-up

　　答案:B

　　2. 目前， 分子自组装纳米加工的优势是( ) 。

　　A:加工手段成熟、 先进

　　B:能够实现大面积长程有序

　　C:组装结构为分子尺度

　　D:低成本

　　答案:CD

　　3. 下列说法错误的是( ) 。

　　A:自组装系统是热力学平衡的

　　B:自组装个体之间是非共价键的结合。

　　C:自组装中的个体一般可以由移动

　　D:自组装是非自发的， 组装过程往往需要人为干涉。

　　答案:D

　　4. 硫醇类分子在表面形成 SAM 后可以实现固体表面功能化。 ( )

　　A:错

　　B:对

　　答案:B

　　5. 氢键是一种特殊的键， 它具有一定的共价键特性即具有饱和性和方向性， 但

　　键合力远小于共价键。 ( )

　　A:错

　　B:对

　　答案:B