绪论单元测试
1. 微纳加工是以平面集成加工为代表的非传统的加工方法， 加工形成的部件或
结构本身的尺寸在( ) 量级。
A:纳米
B:微米
C:微米或纳米
答案:C
2. 光刻工艺的基本要素主要包括( ) 。
A:光刻胶
B:对准系统
C:光源
答案:ABC
3. 刻蚀法图形转移技术的关键刻蚀参数： ( ) 。
A:掩膜的抗刻蚀比
B:掩膜的抗刻蚀比和刻蚀的方向性
C:刻蚀的方向性
答案:B
4. 间接加工技术能够绕过现有设备加工能力极限， 意指直接光刻技术， 其图形
结构的分辨率决定于某种光刻方法的分辨率。 ( )
A:对
B:错
答案:B
5. 间接加工技术就是光刻加图形转移技术。 ( )
A:对
B:错
答案:B
第一章测试
1. 光学曝光的目的是把掩模上的图形成像到( ) 上。
A:Si 片
B:光刻胶
C:底片
答案:B
2. 软接触通过调整( ) 实现。
A:曝光强度
B:压力大小……此处隐藏6138个字…… . 侧壁沉积法中， 沉积时应选择各向同性沉积， 而刻蚀时应选择方向性好的各
向异性刻蚀。 ( )
A:错
B:对
答案:B
第九章测试
1. 传统的平面集成电路加工技术是( ) 技术， 分子自组装是() 技术。
A:bottom-up; top-down
B:top-down; bottom-up
答案:B
2. 目前， 分子自组装纳米加工的优势是( ) 。
A:加工手段成熟、 先进
B:能够实现大面积长程有序
C:组装结构为分子尺度
D:低成本
答案:CD
3. 下列说法错误的是( ) 。
A:自组装系统是热力学平衡的
B:自组装个体之间是非共价键的结合。
C:自组装中的个体一般可以由移动
D:自组装是非自发的， 组装过程往往需要人为干涉。
答案:D
4. 硫醇类分子在表面形成 SAM 后可以实现固体表面功能化。 ( )
A:错
B:对
答案:B
5. 氢键是一种特殊的键， 它具有一定的共价键特性即具有饱和性和方向性， 但
键合力远小于共价键。 ( )
A:错
B:对
答案:B
