1单选(2分)
EUV光刻技术采用极紫外光波的波长是
A.248纳米
B.193nm浸没式
C.193纳米
D.13.5纳米
正确答案：D
2单选(2分)
在45kV加速电压条件下选用不同的入射原子/离子轰击Ag表面时，得到的溅
射产额最高为
A.F
B.氖
C.普通
D.O
正确答案：B
3单选(2分)按照工作原理属于气流式气体输运泵的真空泵是
A.油扩散泵
B.溅射离子泵
C.罗茨泵
D.涡轮分子泵
正确答案：A
4单选(2分)
高真空系统(1Pa~10-7Pa)范围内最常使用的真空测量工具是：
A.薄膜真空规
B.皮拉尼真空规
C.电离真空规
D.热偶真空规
正确答案：C
5单选(2分)
在真空环境中，气体的流动为分子流状态的判断依据为
A.2200 > Re> 1200
B.Kn=1~110
C.Kn<1
D.Re> 2200
正确答案：C
6单选(2分)
薄膜溅射或其他薄膜制备方法通常采用的放电形式是
A.异常辉光放电
B.弧光放电
……此处隐藏5762个字……曝光前可溶于某种溶液而曝光后发生交联反应不可溶，则这种光刻胶为正性 光刻胶。
A.对
B.错
正确答案：B
44判断(2分)
对负性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
A.对
B.错
正确答案：B
45判断(2分)光刻区使用黄光照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫 外线和白光，而对有波长较长的黄色光不敏感。
A.对
B.错
正确答案：A
46判断(2分)
微电子技术的核心是集成电路，中央处理器是集成电路的标志性产品之一。
A.对
B.错
正确答案：A
47判断(2分)
微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的。
A.错
B.对
正确答案：A
48判断(2分)
世界上第一个晶体管是硅材料的晶体管。
A.对
B.错
正确答案：A
49判断(2分)
世界上第一块集成电路是用锗半导体材料作为衬底制造的。
A.对
B.错
正确答案：A
50判断(2分)
对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
A.对
B.错
正确答案：B
