学堂在线清华大学材料学概论(2021春)课后作业题答案
- 关于类金刚石(DLC)薄膜的说法错误的是: A类金刚石薄膜的主要成分是碳 B类金 2021-01-26
- ITO透明导电膜玻璃是国际上70 年代初研制成功的一种新型材料。它是制造液晶 2021-01-26
- 薄膜发电技术采用薄膜太阳能电池,硅基薄膜太阳能电池属于非晶硅结构。关于薄 2021-01-26
- 哪一个不是气相沉积获得薄膜的三个必要条件是 A热的蒸发源 B冷的基板 C真空 2021-01-26
- 薄膜沉积中采用真空环境主要利用了其中哪两条 A(1)(2) B(2)(4) C(1)(3) D(3 2021-01-26
- 化学镀膜相对于电镀膜,最大的优点是 A化学镀对于环境友好 B化学镀可以在绝缘 2021-01-26
- 半导体集成电路的镀膜为什么要在超净间进行? A超净间噪声小 B超净间的气压很 2021-01-26
- CVD反应必须满足的三个挥发性条件,下列那个条件不是 A反应物必须具有足够高 2021-01-26
- 扩散泵能达到的极限真空度是 A10-4Pa B10-5Pa C10-6Pa D10-7Pa 2021-01-26
- CMP是半导体制造中的什么工艺,其目的是 A化学机械抛光技术,实现全局平坦化 B 2021-01-26
- 银镜反应制备银镜,属于什么镀膜方法 APVD BCVD C电镀 D化学镀 2021-01-26
- 碳在元素周期表中居于王者之位,具有多种结构,哪一种碳材料是sp3杂化 A金刚石 2021-01-26
- 薄膜的制备加工和块体材料的制备加工类比:______过程可以看成是原子量级的铸 2021-01-26
- 理想气体只有气体分子间的弹性碰撞,而没有分子间相互作用。 A对 B错 2021-01-26
- 基板为单晶体为生长单晶薄膜的必要条件 A对 B错 2021-01-26
- 通过单一类型的泵可以抽到超高真空 A对 B错 2021-01-26
- 化学气相沉积要求反应物必须是气相,必须有一种产物是固相 A对 B错 2021-01-26
- 大马士革工艺采用的化学机械抛光的方法来实现薄膜表面平坦化 A对 B错 2021-01-26
- 根据磁滞回线,给完全退磁的材料加正方向的磁场磁化达到饱和后,将外磁场改变反 2021-01-26