学堂在线清华大学创新材料学(2021春)课后作业题答案
- 为了便面硅圆片侧面棱角破损，切片后还要进行 A、倒角 B、抛光 C、清洗 D、退 2021-05-16
- 切片工序说法错误的是 A、无论做太阳能电池板还是集成电路，切片都必不可少 B 2021-05-16
- 除了切头去尾剥皮外，硅单晶棒在切片前还要有什么操作？ A、洗干净 B、做取向标 2021-05-16
- 硅单晶棒为什么要切头去尾？ A、两侧的杂质多 B、两侧缺陷多 C、两侧形状不 2021-05-16
- 硅圆片的供货状态及特点错误的是 A抛光片：表面呈闪闪发光的镜面状态 B外延片 2021-05-16
- 单晶棒要经过切片研磨才能进入下道工序，国际上主流产品是多大的硅圆片？ A12英 2021-05-16
- 以下关于直拉法和区熔法制造单晶硅错误的是 A区熔法生产单晶硅纯度要更高 B 2021-05-16
- 区熔法利用的原理是偏析现象，对于偏析系数小于1的情况，晶体杂质的浓度沿晶体 2021-05-16
- 为什么说直拉法单晶硅炉中关键部分是石英坩埚？ A石英坩埚比较贵 B石英坩埚纯 2021-05-16
- 以下关于直拉法生产单晶硅的过程错误的是 A多晶硅放在石英坩埚里 B单晶硅炉 2021-05-16
- 关于改良西门子法错误的是 A第一代改良西门子法不循环使用SiCl4和HCl，第二代 2021-05-16
- 改良西门子法生产多晶硅，是在反应器中由三氯氢硅生成硅沉积在硅芯棒上，现在已 2021-05-16
- 为什么说“Si是上帝赐给人类的宝物”？ ASi在集成电路中的角色是不可替代的 B 2021-05-16
- 多晶Si要放在石英坩埚中拉制单晶Si，主要原因是 A石英坩埚容易生产 B石英坩埚 2021-05-16
- 下列不是多晶Si生产中涉及到的方程式是 ASi+3HCl=SiHCl3+H2 BSi+2C=Si+2CO 2021-05-16
- 下列关于硅石还原金属硅说法错误的是 A还原出的金属硅纯度只有98%左右 B还 2021-05-16
- 高纯多晶Si的生产原料是 A高纯度硅石 B自然界沙子 C玻璃 D泥土 2021-05-16
- 我国生产的多晶硅大多用来制造太阳能电池板，原因是 A我国大力发展太阳能 B治 2021-05-16
- 从硅石原料到半导体器件，工序可分为 A多晶-拉制单晶-切片（晶圆）-抛光外延（外延 2021-05-16
- 以下关于Si的说法错误的是 ASi载流子的迁移速率较高 B高纯Si要达到99.99999 2021-05-16
- 下面半导体产业说法错误的是： A半导体产业产额已经可以和钢铁汽车产业相提并 2021-05-16
- 集成电路工艺流程顺序正确的是： A硅圆片制造-前道工序-后道工序 B前道工序- 2021-05-16
- IC制造过程中，材料科学与工程学家关注产业链是怎样的？ A高纯多晶硅-单晶硅-硅 2021-05-16
- 下面关于存储器发展变化的说法错误的是： A铜布线被铝布线代替 B采用了高介电 2021-05-16
- 下面关于快闪存储器的说法错误的是： A快闪存储器有两层栅，分别是控制栅和浮栅 2021-05-16
