学堂在线清华大学创新材料学(2021春)课后作业题答案
- 为什么要进行浅沟道刻蚀硅？ A、美观 B、隔离元器件 C、降低工艺难度 D、以上 2021-05-16
- 离子注入法要求掺杂导电型杂质，因此必须进行怎样操作 A、电离 B、加热 C、蒸 2021-05-16
- 关于离子注入法和热扩散发法掺杂说法错误的是： A、导电型杂质掺杂用离子注入 2021-05-16
- 热扩散法，可以控制气体的压力，环境的温度，时间等等来控制掺杂深度浓度，若在距表 2021-05-16
- 热氧化法的作用是什么？ A、获得优良的SiO2绝缘膜 B、退火，降低位错密度 C、提 2021-05-16
- 热氧化法用的氧化剂除了氧气还能是什么？ A、氮气 B、水蒸气 C、氩气 D、氦气 2021-05-16
- 源栅漏极引出用钨的原因是： A、钨价格低 B、钨导电率高 C、钨熔点高 D、钨不 2021-05-16
- LSI制作时栅极的材料是 A、单晶硅 B、多晶硅 C、氧化硅 D、氮化硅 2021-05-16
- IC制造过程中要用到各种各样的薄膜作用错误的是 A、绝缘膜，电气隔离作用的 2021-05-16
- 硅圆片制成IC，需要在圆片上制作图形，图形直观理解其实就是芯片上线的走向等，关 2021-05-16
- 关于微影曝光说法错误的是 A、图形很小所以叫微影 B、掩模尺寸大于实际图形 2021-05-16
- 关于涂布光刻胶过程说法错误的是 A、涂胶机不需要抽真空 B、硅圆片在涂胶机 2021-05-16
- 光刻胶根据曝光与否与能否去除做的分类是什么？ A、正光刻胶，负光刻胶 B、g线，i 2021-05-16
- 电镀关于阴阳极的物理现象是 A、阳极析出，阴极溶解 B、阳极溶解，阴极析出 C、 2021-05-16
- 铜布线主要采用采用什么方法？ A、水溶液电镀 B、真空蒸镀 C、溅射 D、PCVD 2021-05-16
- 以下不是铝布线被铜布线所取代的原因 A、铜布线寿命更长 B、铜比铝的原子质 2021-05-16
- 之前使用铝布线的原因 A、铝熔点比较低，容易成膜 B、铝材料与硅亲和力好 C、 2021-05-16
- 沿着___更容易发生电迁移 A、晶体密排方向 B、表面 C、晶界 D、晶体密排面 2021-05-16
- 什么样的原子不易发生电迁移？ A、原子量较大 B、原子量较小 C、迁移率高 D、 2021-05-16
- 关于断线和电路缺陷说法错误的是 A、无论电迁移，应力迁移，热迁移还是化学迁移 2021-05-16
- 关于电迁移说法错误的是 A、电迁移是由电子运动引起的 B、电迁移会导致空位 2021-05-16
- 电迁移通常是指在电场的作用下，电子向阳极运动，使得 一同运动的现象？ A、质子 2021-05-16
- 关于离子注入说法错误的是 A、离子注入产生缺陷 B、离子注入完以后需要退火 2021-05-16
- 关于Si中离子注入As，随着能量的提高（相同剂量As）不会发生 A、最高浓度下降 B、 2021-05-16
- 下列关于PCVD和普通CVD比较，说法正确的是 A、PCVD是PVD的一种，因此它不需要化 2021-05-16
