学堂在线清华大学创新材料学(2021春)课后作业题答案

• 普通CVD过程需要高温，PVCD是如何实现不需要高温的 A、PCVD利用电场使反应物 2021-05-16
• 下面哪种CVD的类型有效大量降低了工艺温度 A、外延生长法 B、等离子CVD C、 2021-05-16
• CVD装置相比于PVD装置有什么明显优势？ A、装料多 B、绕射度好，台阶处不易断线 2021-05-16
• 下列哪一种CVD制膜方法使用了卤族灯加热（可以直接快速加热进行CVD反应）？ A、外 2021-05-16
• 利用CVD的方法制造多晶Si膜，常压CVD需要900℃，采用低压CVD可以 A、加快沉积速 2021-05-16

• 磁控溅射电磁场是如何分布的？ A、电场磁场相互平行，电场垂直于靶表面，磁场垂直 2021-05-16
• 溅射镀膜有直流二极溅射，射频二极溅射，磁控溅射，IC制造中使用最多的是 A、直流 2021-05-16
• 从下列选项中选出直流二极溅射成膜的正确过程 A、气体放电产生氩离子、金属 2021-05-16
• 下列关于PVD法中蒸发源说法错误的是 A、多用电子束蒸发源 B、蒸发源种类很 2021-05-16
•  下列哪个不是真空蒸镀的三要素 A、热的蒸发源 B、冷的基板 C、真空的环境 2021-05-16

• 磁控溅射与直流二极溅射相比有什么优点？ A、电子能量小，致使基片的温升较低 B 2021-05-16
• 随着曝光技术的发展，最终人们会开发波长越来越短的光源，现在正开发的曝光技术 2021-05-16
• 想要在光刻胶上制作图形，需要进行的操作是？ A、电镀 B、曝光 C、刻蚀 D、沉积 2021-05-16
• 栅长想要小，作为材料人需要考虑到哪些问题？ A、透镜的材料 B、光源的波长 C、 2021-05-16
• 为了得到更大的分辨率以期获得更微细的图形，应该采用波长 的光源和数值孔径 2021-05-16

• 曝光所用光的波长要与特征线宽一个数量级，这是为什么？ A、分辨率的要求 B、光 2021-05-16
• 凡是反应物是气相，生成物有一种是固相，并且沉积在基体表面上的过程，这是那种薄 2021-05-16
• 目前在LSI生产中广泛采用的是 A、热氧化法 B、CVD法 C、溅射沉积法 D、掩模 2021-05-16
• 层间膜要使用： A、高介电常数膜 B、低介电常数膜 C、铁电体膜 D、以上都不对 2021-05-16
• DRAM和逻辑LSI元件结构说法错误的是 A、DRAM上有位线和子线，位线和子线交点 2021-05-16

• 下列薄膜作用错误的是 A、绝缘膜有氧化硅膜，氮化硅膜等，可用作元件分离膜，栅绝 2021-05-16
• Si基板上pn结中的反向电场的形成说法正确的是？ A、通过掺杂P和B，由于电荷平衡 2021-05-16
• 电器件工作原理是什么？ A、光照射在pn结形成垫子和空穴，由于有内建反向电场的 2021-05-16
• 关于半导体说法错误的是（） A、元素半导体，化合物半导体，氧化物半导体相比，元素半 2021-05-16
• 以下说法正确的是 A、电阻率的单位是Ω/cm B、绝缘体半导体导体是根据电阻 2021-05-16